一体型電流センサが外乱をキャンセルする仕組みを理解する
従来のホール効果電流センサは、磁界を集中させ、外部干渉からセンサをシールドするために磁性体コアに依存している。効果的ではありますが、このアプローチはバルク、コスト、熱定数をもたらします。LEMの電流センサIC技術は、磁気コアを完全に排除することで、よりスマートなアプローチを取っています。その代わりに、2つの整合ホール効果素子を通電導体の反対側に対称的に配置します。各センサは、ターゲット磁界(B)と外部浮遊磁界(Bext)の両方をピックアップします。これらのホールセルは差動構成で配線されています。
(B + Bext) − (-B + Bext) = 2B
その結果、外来磁界は効果的にキャンセルされ、目的の信号は2倍に増幅される。この革新的な構造により、センサICは磁気コアを必要とせず、過酷な環境でも精度と堅牢性を維持することができます。また、この構成では、対称配置と差動配線が環境からの静的磁気バイアスを本質的にキャンセルするため、残留磁気オフセットが発生しない。残るのは、校正が容易な電気的オフセットのみです。
電流センシングの精度は単一の数値で定義されるものではなく、基準電圧偏差、オフセット、直線性、感度ドリフトを含む多くのパラメータの結果です。LEMは、室温および全動作温度範囲にわたって、これらの要素を定量化する体系的なアプローチを取っています。
室温(+25 °C)での誤差
室温では、総誤差の主な要因は以下の通りである:
各パラメーターは定量化され、絶対値(mVまたはA)または相対値(%)で測定される。グローバル誤差を推定するために、LEMは2つのモデルを使用します:
GO 10-SMEの例
動作範囲にわたる熱ドリフト
電流センサICは、通常-40℃~+105℃以上の広い温度範囲にわたって精度を維持する必要があります。温度変化により、基準電圧、オフセット、感度にドリフトが生じる。
同じ RSS メソッドを使用することで、熱ドリフトの合計を推定し、室温誤差と組み合わせることで、完全なエラーバジェットを提供することができます。センサ固有の熱ドリフトは設計により最小限に抑えられますが、特にセーフティクリティカルなアプリケーションでは、多くのシステムが既知の熱挙動曲線(TCo、TC)を利用したソフトウェアベースの補正を実装できます。
GO 10-SME の例
EVパワートレイン、ソーラーインバータ、産業用モータドライブなどのアプリケーションでは、性能と安全性の両方を確保するために、正確で一貫性のある電流フィードバックが求められます。わずかな測定誤差でも、次のような結果を招く可能性があります:
再現性もまた重要です。センサは、同じ入力に対して、時間、電力サイクル、熱的エクスカーションを超えて同じ出力に戻る能力です。LEMの一体型電流センサの設計は、ヒステリシスと長期ドリフトについて厳密にテストされ、システムの全寿命期間中一貫したフィードバックを保証します。
LEMのICS技術は、以下のような問題を防ぐのに役立ちます:
LEMの電流センサICは、スマートな設計を具現化し、磁気コアのかさ増しやコスト増を伴うことなく、高精度の電流センシングを実現します。これらは、堅牢性、外乱への耐性、熱安定性を確保しながら、コンパクトなフォームファクターで進化する規格に適合するように設計されています。レシオメトリック出力、シグナル・コンディショニング、パッケージングにおける継続的な技術革新により、集積型電流センサ技術は、より小さく、よりスマートで、より信頼性の高い電流センシング・ソリューションを実現する重要な技術として位置づけられています。