磁芯设计和电流的幅值和频率特性决定了磁芯损耗的水平。磁损主要是由磁滞回线中的封闭区域引起,如下图。
磁损 由 涡流损耗 和磁滞损耗组成.
考虑到应用中的每个条件
在传感器选型和系统设计中,所有条件都需要考虑到,尤其是以下几点:
确认可能的关键条件
某些应用场合极为复杂,需考虑多种可能的要求,例如:
实际测试
额定变比K是原边额定电压或电流与输出的额定电压或电流的比值。 对于闭环传感器而言,变比NP/NS 约为匝数Kr的倒数 KR 例如,变比为1:1000对应着二次线圈匝数(KR = 1000) ,单匝原边电流为1A时二次输出电流就是1mA。
高频电流应用下的传感器的磁芯损耗较大,为保证传感器损耗不变,需要降低额定电流。但由于磁芯几何形状的复杂性,磁芯损耗与频率平方、磁通密度平方的函数关系,以及壳体的功率耗散问题,尽管计算和仿真电流有效值与频率的降额曲线不是不可能,但确实非常困难。
改变原边电流有效值和频率,并保证不超过最大允许温度,可以在传感器内部进行温度测量,从而得到RMS电流与频率的降额曲线。
它指的电源输出的最大电流,即原边测量电流或电压为零时电流传感器本身的最大电流损耗与不同测量电流对应的输出电流之和。IS .此参数仅适用于电流输出型的传感器。
该值用于表征传感器的动态跟随被测电流快速变化的能力,“di/dt精确跟随”是指对被测电流变化到90%时,响应时间不超过1毫秒。 IPN.
测量电阻必须在规定的范围内,传感器才能安全有效地工作。
如果测量值超出了传感器的规格书上指定的范围,请联系我们的技术支持。根据您的应用条件(环境温、电源电压公差和最大电流/电压)来计算出相应的电阻值。
ASIC(专用集成电路)顾名思义,是一种集成电路,可提供多个特定功能。
它的优势:
局部放电是发生在部分绝缘部位的放电,经常是在空隙中。
由于绝缘间隙内的小电弧产生的高温和紫外线辐射,绝缘层会被降解。慢慢地,这些间隙内的小孔穴逐渐增多,慢慢形成弧形。最终传感器的初级和次级之间的绝缘完全破坏。
如果绝缘内的间隙增长持续好几年,最终的绝缘破坏却只需要一个或多个电气周期。

局部放电试验的目的是确保LEM传感器的产品寿命。这就保证了固体绝缘(灌封+外壳)所承受的电压应力,从长远来看:
若干国际标准规定了适用于其范围内的设备的安全要求,其主要目的是确保设备对使用者在电气、热量和能源安全方面的危害降低到可接受的范围内。
客户的实际应用决定了所需的电压(额定电压,过电压类别)、安全水平(功能绝缘、基本绝缘或加强绝缘)和环境条件(污染度),而传感器的设计应确保绝缘材料材质(CTI)和最小绝缘距离能够满足要求。
安全标准是根据设备的性能要求来规定设备的带电间隙、爬电距离和固体绝缘要求。其中也包括与绝缘相关的电气测试方法。
爬电距离大于或等于间隙。