反応時間（tra）はどのように定義されますか？ LEMは、反応時間（tra）を、出力信号の立ち上がり時間と、IPNの総変動の10%で取得される信号の立ち上がり時間の差と定義しています。
「di/dtに正確に反応」とはどういう意味ですか？ トランスデューサーの動作およびその一次電流の迅速な変化に対応する能力を特徴付けるために使用される「di/dtに正確に反応」という言い回しは、応答時間がIPNの90%…
周波数帯域BWはどのように定義されますか？ 周波数帯域とは、別途規定されている場合を除き、0Hzと、3dBの減衰量に対応するカットオフ周波数の間の周波数範囲をいいます。…
トランスデューサーはなぜコア損失を回避できないのですか？ 磁性体およびコア設計、ならびに電流振幅と周波数のスペクトル成分により、コア損失の程度が決まります。コア損失は、下図に示すヒステリシスサイクル内の線で囲んだ領域により引き起こされます。…
周波数に対する電流ディレーティングとは何ですか？ 高周波数用途におけるコア損失のため、トランスデューサーの損失を一定に保つため電流を低下させる必要があります。コアの形状の複雑さ、ならびにコア損失と周波数の平方根、磁束密度の平方根、…
感度および直線性はどのように測定されますか？ 感度および直線性を測定するため、一次電流DCが0からIPMに設定されたのち、再度–IPMから0に戻されます。感度Gは、全電流範囲（±IPM間のサイクル）における線形回帰直線の傾きと定義されます。…
ASICを使用したトランスデューサーの利点は何ですか？ ASIC（特定用途向け集積回路）は、名前が示すとおり、複数の特定機能を1個のパッケージとして提供するよう設計された集積回路です。ASICの利点は以下のとおりです。…
単極電源を備えたトランスデューサーはどのように動作しますか？ LEMのクローズドループトランスデューサーの大部分は、二極電源電圧（±15 Vなど）とともに使用する仕様となっています。しかしながら、大部分のトランスデューサーは、単一方向電流の測定のため、…
電流トランスデューサーの励磁はどうすれば防げますか？ 使用されるトランスデューサーおよび磁性体の種類により、鉄心の残留束（残留磁化）が「磁気オフセット」と呼ばれる別の測定オフセットを誘導します。その値は、直前のコアの励磁により決まり、…
トランスデューサーは消磁することができますか？ 磁気オフセットを消去するには、消磁を行う必要があります。消磁サイクルでは、低周波数AC電源を使用してB-Hループ全体を通じてコアを駆動した後、B-…
空間距離および沿面距離とは何ですか？ 複数の国際標準では、電気、熱、およびエネルギーの安全に関連するオペレーターへの危険を許容可能な程度まで軽減することを主な目的として、適用範囲に含まれる設備に適用される安全要件が規定されています。…
部分放電現象とは何ですか？ 部分放電とは、間隙内に発生することの多い絶縁領域の一部で生じる放電です。間隙内の小さなアーク放電により生じる高温および紫外線放射の結果として、絶縁層が劣化します。徐々に小さな孔が増え、…
メッシュネットワーク内の新規デバイスの自動検出 無線ネットワークが有効な場合、メッシュゲートがメッシュネットワーク内で通信しているすべてのデバイスのModbusアドレスを一群のレジスター（2-17：有効なEndNodeデバイスリストのビットマップ…
外付けDC電源接続中、メッシュノードの電源ランプはオフになります 内部のオン/オフスイッチを確認してください。
内部のオン/オフスイッチを確認してください。Wi-Pulseの特性 最大入力電圧 3.3Vジャンパーにより選択可能な入力インピーダンス高レベル入力最小0.8V、低レベル入力最大0.15VWi-Pulseに関しては、内部電子回路は3.3Vで給電され、特にプルアップ抵抗…
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HO - 6 10 & 25 - Pシリーズ HO - 6 10 & 25 - Pシリーズ高性能でコストパフォーマンスの高い非接触型電流センサー 一次側導体用に大型開口部を有するスルーホール基板取り付けタイプ
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